Магнитометры на СКВИДах

Магнитометры на СКВИДах

Бесплатно!

Магнитометры на СКВИДах
1. Сверхпроводимость. Основные параметры сверхпроводников…..3
2. ЭффектДжозефсона……………………………………………………………….4
3. Магнитометр…………………………………………………………………………5
4. Сверхпроводящий материал -соединение Nb3Sn………………………8
5. Получение джозефсоновских переходов…………………………………..9
6. Список литературы………………………………………………………………..13

Магнитометры СКВИД Эффект Джозефсона
Сверхпроводящий материал
джозефсоновский переход

Описание работы

Содержание:

1. Сверхпроводимость. Основные параметры сверхпроводников…..3
2. ЭффектДжозефсона……………………………………………………………….4
3. Магнитометр…………………………………………………………………………5
4. Сверхпроводящий материал -соединение Nb3Sn………………………8
5. Получение джозефсоновских переходов…………………………………..9
6. Список литературы………………………………………………………………..13

1. Сверхпроводимость. Основные параметры сверхпроводников.

Явление сверхпроводимости состоит в том, что при некоторой температуре, близкой к абсолютному нулю, электросопротивление в некоторых материалах исчезает. Эта температура называется критической температурой перехода в сверхпроводящее состояние.
Сверхпроводимость обнаружен а более чему 20 металлов и большого количества соединений и сплавов (Тк ? 23К), а также у керамик (Тк> 77,4К – высокотемпературные сверхпроводники.)
Сверхпроводимость материалов с Тк ? 23К объясняется наличием в веществе пар электронов, обладающих энергией Ферми, противоположными спинами и импульсами (пары Ку пера), которые образуются благодаря взаимодействию электронов с колебаниями ионов решетки – фононами. Все пары находятся, с точки зрения квантовой механики, в одном состоянии (они не подчиняются статистике Ферми т. к. имеют целочисленный спин) и согласованы между собой по всем физическим параметрам, то есть образуют единый сверхпроводящий конденсат.
Сверхпроводимость керамик, возможно, объясняется взаимодействием электронов с каким-либо другими квазичастицами.
По взаимодействию с магнитным полем сверхпроводники делятся на две основные группы: сверхпроводники I и II рода.
Сверхпроводники первого рода при помещении их в магнитное поле «выталкивают» последнее так, что индукция внутри сверхпроводника равна нулю (эффект Мейсснера). Напряжонность магнитного поля, при котором разрушается сверхпроводимость и поле проникает внутрь проводника, называется критическим магнитным полем Нк. У сверхпроводников второго рода существует промежуток напряженности магнитного поля Нк2 > Н >Нк1, где индукция внутри сверхпроводника меньше индукции проводника в нормальном состоянии. Нк1 – нижнее критическое поле, Нк2– верхнее критическое поле. Н < Нк1 – индукция в сверхпроводнике второго рода равна нулю, Н > Нк2 – сверхпроводимость нарушается. Через идеальные сверхпроводники второго рода можно пропускать ток силой: ? (критический ток). Объясняется это тем, что поле, создаваемое током, превысит Нк1, вихревые нити, зарождающиеся на поверхности образца, под действием сил Лоренца, двигаются внутрь образца с выделением тепла, что приводит к потере сверхпроводимости.

Tk, Нк1, Нк2, некоторых металлов и соединений:
Вещество
Тк К
m0Нк1 Тл
m0Нк2 Тл
Pb
7.2
0.55

Nb
9.2
0.13
0.27
Te
7.8

V
5.3

Ta
4.4

Sn
3.7

V3Si
17.1

23.4
Nb3Sn
18.2

24.5
Nb3Al
18.9

Nb3Ga
20.3

34.0
Nb3Ge
23.0

37.0
(Y0.6Ba0.4)2CuO4
96

160±20
Y1.2Ba0.3CuO4-8
102

18 при 77К

2. Эффект Джозефсона.

Если два сверхпроводника соединить друг с другом «слабым»контактом, например тончайшей полоской из диэлектрика, через него пойдеттуннельный сверхпроводящий ток, т. е. произойдет туннелирование сверхпроводящихкуперовских пар. Благодаря этому обе системы сверхпроводников связаны между собой. Связь эта очень слаба, т. к. мала вероятность туннелирования пар даже через очень тонкий слой изолятора.
Наличие связи приводит к тому, что в следствии процесса обмена парами состояние обеих систем изменяется во времени. При этом интенсивность и направление обмена определяется разностью фаз волновых функций между системами. Если разность фаз j=j1 — j2, тогда из квантовой механики следует ? . Энергии в точках по одну и другую сторону барьера Е1 и Е2 могут отличаться только если между этими точками существует разность потенциалов Us. В этом случае ? (1).
Если сверхпроводники связаны между собой с одной стороны и разделены слабым контактом с другой, то напряжение на контакте можно вызвать, меняя магнитный поток внутри образовавшегося контура. При этом ?. Учитывая, что квант потока ? и поток Ф через контур может быть лишь nФ0, где n=0,±1,±2,±3,… Джозефсон предсказал, что ? (2)
Где:
Is – ток через контакт
Ic –максимальный постоянный джозефсоновский ток через контакт
j — разность фаз.
Из (1), (2) следует ?.
Поскольку на фазовое соотношение между системами влеяет магнитное поле, то сверхпроводящим током контура можно управлять магнитным полем. В большинстве случаев используется не один джозефсоновский контакт, а контур из нескольких контактов, включенных параллельно, так называемый сверхпроводящий квантовый интерферометр Джозефсона (СКВИД). Величина магнитного поля, необходимого для управления током, зависит от площади контура и может бать очень мала. ПоэтомуСКВИДы применяют там, где нужна большая чувствительность.
Известны несколько типов джозефсоновских контактов, но наиболее распространены следующие:

?

изолятор
» 1нм сверхпроводники

туннельный переход переход типа «мостик»

3. Магнитометр.

Магнитометр — прибор на основе джозевсоновских переходов, применяющийся для измерения магнитного поля и градиента магнитного поля. В магнитометрах используются СКВИДы 2х типов: на постоянном токе и переменном. Рассмотрим магнитометр на СКВДах постоянного тока.

I

A B U

? переходы
джозефсоновские

Если к такому кольцу приложить поле, то оно будет наводить в кольце циркулирующий сверхпроводящий ток. Он будет вычитаться из постоянного тока I в А и складываться в В. Тогда максимальный ток кольца зависит от магнитного потока Ф и равен: ? Ic – ток кольца, Ф0 –квант потока, Ф – захваченный поток. При этом ? R – сопротивление перехода, l –индуктивность кольца. DU –достигает нескольких микровольт и может быть измерен а обычными электронными приборами.

? I Imax
nФ0

(n+1/2) Ф0

U n

Рисунок слева: ВАХ сверхпроводящего кольца с 2-мяджозевсоновскими переходами.
Рисунок справа: Зависимость Imax от внешнего потока
n – число квантов потока пронизывающих контур.

Техническая реализация магнитометров на СКВИДе на постоянном токе с 2-мя тунельными переходами.

Кварцевая трубка

Полоска из Pb

Платиновый электрод

Pb

Джозефсоновские
переходы

Платиновый электрод

КонтурСКВИДа
образован цилиндрической
плен кой из Pb нанесеннойна кварцевый цилиндр
длинной 18 мм с наружным диаметром8мм, а
внутренним 6мм.
Описанная здесь конструкция я в-
2 мм ляется датчикомвключенным в электри-
? ческуюсхему, обеспечивающую изме-
рение и индикацию отклика датчика
1.5мм на изменение внешнего магнитного
поля. Такая система представляет со-
600нм 600нм бой магнитометр.
20 нм

4. Сверхпроводящий материал –соединение Nb3Sn.

? Соединение Nb3Sn имеетТк=18.2К и Нк2=18.5 МА/m (m0Нк=23Тл) при4.2К. Благодаря таким параметрам можно получить джозефсоновские переходы чувствительные как к малым полям 10-17Тл, так и к изменению больших полей »1Тл. Соединение имеет такуюрешетку: атомы ниобия расположены в местах, занятых на рисунке и образуют со своими ближайшими соседями три цепочки, перпендикулярные друг – друг у:

Nb

? Sn

Атомы ниобия в этих цепочках связаны дополнительными ковалентными связями. Цепочки ниобия в кристаллической структуре, для получения сверх проводящих свойств не должны быть нарушены, что может произойти при избытке атомов олова или при недостаточной степени порядка в кристаллическойрешетке. Диаграмма фазового равновесия системы Nb-Sn приведена на рисунке:

toC
2500
a+ж 2000
2000
a Ж
1500 Nb3Sn3
a+Nb3Sn 910-920
1000
? Nb3Sn 840-860
500 805-820 NbSn7 232-234

Nb 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Sn
Соединение Nb3Sn хрупко и изделие из него не могут бать получены обычным металлургическим путем, т. е. вы плавкой с последующей деформацией. Массивные изделия из этого соединения: цилиндры, пластины и т. д. получают, как правило, металлокерамическим методом, т. е. смешивая в соответствующих пропорциях порошки ниобия и олова, прессуя изделия нужной формы и нагревая их до температуры образования химического соединения Nb3Sn, обычно в интервале 960-1200O.

5. Получение джозефсоновских переходов.

Джозефсоновские туннельные переходы представляют собой две тонкие сверхпроводящиепленки разделенные барьерным слоем диэлектрика или полупроводника. Рассмотрим некоторые из методов получения переходов с диэлектрическим барьером. На тщательно очищенную подложку в вакууме наносится первая плен ка сверхпроводящего соединения толщиной в несколько тысяч ангстрем.
Нанесение первой пленки осуществляется путем катодного распыления.

?4

?1
?
?? 6

2 3 5

1. Катод
2. Распыляющий газ
3. К вакуумному насосу
4. Держатель с подложкой
5. Постоянное напряжение 4 к В
6. ВЧ – генератор 3-300 МГц

Газовый разряд при низком давлении можно возбудить высокочастотным электрическим полем. Тогда в газовом промежутке, содержащим аргон, возникает тлеющий разряд. Образовавшиеся при этом положительные ионы, разгоняются электрическим полем, ударяются о катод распыляя сплав. Вылетающие скат ода атомы осаждаются на подложке. В такой системе были достигнуты скорости осаждения до 1А/сек. При смещении на катоде – мишени 500В.
Для высокочастотного катодного распыления Nb3Sn необходим вакуум перед распылением 10-4Па, температура подложки 900OС, чистота напускаем ого аргон а 99,999%, его давление менее 1Па.
Для качества туннельного перехода большое значение имеет структура пленки. В напыленных пленках обычно сильно иска жена кристаллическаярешетка, и в них, как правило со временем происходят структурные изменения: течение дислокаций, деформация границ зерен, что может значительно ухудшить свойства туннельного перехода (например возникнуть за коротки).
Одним из способов устранения этих нежелательных явлений состоит во внесении в плен ку примесей стабилизирующих их структуру. Такпленки образующие туннельный переход получались последовательным напылением In (49нм),Au (9нм), Nb3Sn (350нм) для нижнего электрода и Nb3Sn (300нм), Au(5нм),Nb3Sn(200нм) для верхнего электрода. После этого пленки выдерживались при температуре 75О С в течении 2ч., что приводило к стабилизации свойств перехода.
Следующим важным этапом получения туннельного перехода является образование барьерного слоя, как правило, это слой окисла на поверхности первой пленки. Свойства туннельного перехода и его срок службы определяется прежде всего качеством барьерного слоя. Этот слой должен быть плотным, тонким (»2нм), ровным, не иметь пор и не меняться со временем при температурном циклировании.
Наиболее удачный метод приготовления туннельных барьеров состоит в окислении пленки в слабом ВЧ разряде в атмосфере кислород а. Подложка с плен очным электродом крепится к катоду разрядной камеры. Сначала поверхность пленки очищают от естественного окисления путем ВЧ катодного распыления в атмосфере аргон а при давлении 0.5 Па в течении 1-5 мин. Сразу после этого аргон в камере заменяется кислород ом или аргонокислородной смесью и зажигается разряд на частоте 13.56 МГц. За определенное время на пленке, находящейся в разряде, образовался слой окисла необходимой толщины. Для получения туннельных барьеров толщиной 2-5нм необходимо поддерживать разряд мощностью 0.003-0,1 Вт/мм2в течении 10-20 мин.
Применяют туннельные переходы с барьером из полупроводника. В качестве материала барьера используется различные п/п: CdS, CdSe, Ge, InSb, CuAs и др.
Основной метод нанесения п/п барьера – распыление. Однако в напыленном слое п/п имеется много отверстий и пустот, наличие которых способствует появлению закороток в переходе. Для устранения этого недостатка после напыления барьера переход подвергается окислению. В результате за коротки действительно не возникают, но свойства барьера при это ухудшаются: уменьшается максимальная плотность тока, величинаемкости увеличивается.
Наилучшие туннельные переходы с полупроводниковым барьером, получаются, когда барьер представляет собой монокристалл. Такие переходы реализованы не созданием барьера на сверхпроводящей пленке, а наоборот, нанесением пленки на обе стороны тонкой монокристаллической п/п мембраны из Si. Известно, что скорость травления монокристаллического Si перпендикулярно плоскости(100) в 16 раз больше чем в направлении плоскости (111). В результате этого в пластине Si, поверхность которого параллельна (100), при травлении небольшого, незащищенного фоторезистом участка, образуются ямки. Боковые стенки ямки образуют плоскости (111) под углом 54.7О к поверхности. Таким образом, размер дна ямки w1, т. е. размер мембраны определяется соотношением ?, где w2 – размер открытого незащищенногоучастка поверхности, t – глубина ямки.
Чтобы получить мембрану нужной толщины, необходимо каким-либо образом автоматически остановить травление. Это достигается с помощью легирования бором обратной стороны кремниевой подложки на глубину равную необходимой толщине мембраны. Скорость травления быстро падает, когда достигается слой Si с концентрацией бора, равной n=4?1019 см-3, и полностью останавливается при n=7?1019 см-3. Таким образом были получены мембраны толщиной 40-100 нм. Далее с двух сторон наносятся сверхпроводящие пленки, образующие переход.
В случае последовательного напыления: сверхпроводящаяпленка – барьер – сверхпроводящая плен ка – последнюю плен ку можно нанести методом катодного распыления.
Готовые переходы защищают от влияния атмосферы слоем фоторезиста. Для получения воспроизводимых туннельных систем необходимо, чтобы между операциями плен ка не подвергалась воздействию атмосферы т. к. адсорбция газов на поверхности пленок может вызвать неконтролируемое изменение характеристик перехода.
Список литературы:

1. Г. Н. Кадыков а «Сверхпроводящие материалы» М. МИЭМ 1990
2. А. Ф. Волков, Н. В. Заварицкий«Электронные устройства на основе слабо связных сверхпроводников» М. Советское радио 1982
3. Р. Берри, П. Холл, М. Гаррис«Тонкопленочная технология» М. Энергия 1979
4. Т. В ан-Дузер Ч. У. Тернер «Физические основы сверх проводниковых устройств и цепей» М. Радио и связь 1984

Обзоры

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Магнитометры на СКВИДах”

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *